侯洵    1936年12月出生，陕西咸阳人，著名光电子学专家。一直从事光电阴极、光电子技术及快速光电器件的理论与技术研究，在瞬态光学和光电子学学科领域具有重要的影响。1985年做为"现代国防试验中的动态光学观测及测量技术"的主要贡献者获国家科技进步特等奖。侯洵院士是我国“八五”攀登计划项目：“飞秒激光技术与超快过程研究”首席科学家，“九五”攀登计划预选项目：“强场激光物理与飞秒超快过程研究”专家委员会召集人之一。自1986年以来，先后获国家科技进步二等奖两项、三等奖三项、国家发明三等奖一项；获中科院科技进步一等奖三项，二等奖四项；获陕西省科技进步二等奖、三等奖各一项等主要奖项。自1986年以来，先后在国内外重要期刊及学术会议上发表论文190多篇，在第18届、第23届国际高速摄影会议及日本第一届国际高速摄影会议上做了特邀报告。侯洵院士倡议并组织建设了“瞬态光学技术国家重点实验室”，为我国瞬态光学技术的研究赶超世界先进水平做出了重要贡献。1984年获国家有突出贡献的中青年专家称号，1989年获全国先进工作者称号，1991年当选中科院院士，1996年获光华科技基金一等奖，1999年获何梁何利科技进步奖。

王占国    1938年12月生，河南镇平县人，著名半导体材料物理学家。1962年毕业于南开大学物理系，同年到中科院半导体所工作。1980－1983年瑞典隆德大学访问学者；1986年任半导体所研究员，材料室主任；1990年被批准为博士生导师；1990-1994任半导体所副所长；1991-2001年，先后曾任国家高技术新材料领域专家委员会委员、常委、功能材料专家组组长，国家S-863计划纲要建议软课题研究新材料技术领域专家组组长；从1990年起先后任国际半导体和半绝缘材料、第7届国际化学束外延、国际缺陷识别与成象物理会议等6个顾问委员会委员，中科院半导体材料科学实验室主任，北大、清华等多个国家、部门开放实验室学术委员会委员。第八届北京市人民政府专家顾问团顾问，中国材料学会常务理事，中国电子学会高级会员。半导体学报、人工晶体学报、材料导报等编委。1995年当选为中科院院士。“973”重大基础研究计划“信息功能材料相关基础问题”项目首席科学家。曾获中科院自然科学一等奖，中科院科技进步一、二和三等奖，国家科技进步三等奖和国家重点科技攻关奖多项,在国外重要学术刊物发表论文100多篇，被他人引用数百次。