师资队伍

王科范[教授]


王科范,男,1979年10月生,河南省邓州市人,教授,硕士生导师。











个人学习简历

2001/09-2006/09 中国科学技术大学国家同步辐射实验室同步辐射应用专业硕博连读,研究方向为超高真空分子束外延生长Ge/Si自组装量子点及其结构表征;

2006/09-至今 河南大学物理与电子学院工作,讲师(2007/01),副教授(2010/05),教授(2018/01

期间:2009/10-2012/06 中国科学院半导体材料科学重点实验室在职全脱产博士后,研究方向为InAs/GaAs量子点中间带太阳电池及黑硅太阳电池

2015/06-2017/06 香港中文大学物理系访问学者和副研究员,研究方向为铜铟镓硒薄膜太阳电池


获奖情况

2008年获得美国真空学会(AVS)的”Shop Notes Awards”.

2010年获河南省自然科学论文一等奖.

2010年获中国博士后科学基金第47批二等资助,项目名称高效率InAs/GaAs量子点中间带太阳电池的研制及相关机制研究,批准号20100470528.

2012年获批国家自然科学基金青年基金基于同步辐射的黑硅红外增强吸收机理研究,批准号61204002.


研究方向及讲授课程

目前从事太阳电池,同步辐射和第一性原理材料计算

讲授《集成电路工艺原理》、《数学物理方法》、《大学物理》、《近代物理实验》、和《计算机基础》等;参编《近代物理实验教程》一本


代表性研究成果:

1) Li-Ying Zhang, Yong Zhang, Wei-Bao Guan, Ke-Fan Wang*, Zhen-Xiang Cheng*, and Yuan-Xu Wang*, Large enhanced conversion efficiency of perovskite solar cells by CsBr doping, J Mater Sci 52: 13203-13211(2017).

2) Ke-Fan Wang, Pingan Liu, Shengchun Qu, Yuanxu Wang, Zhanguo Wang, Optical and electrical properties of textured sulfur-hyperdoped silicon: a thermal annealing study, J Mater Sci, 50, 3391-3398(2015).  

3) Ke-Fan Wang, Hezhu Shao, Kong Liu, Shengchun Qu, Yuanxu Wang, Zhanguo Wang, Possible atomic structures responsible for the sub-bandgap absorption of chalcogen-hyperdoped silicon, Appl. Phys. Lett. 107, 112106 (2015).

4) Ke-Fan Wang, Shengchun Qu, Dewei Liu, Kong Liu, Jian Wang, Li Zhao, Hongliang Zhu, Zhanguo Wang, Large enhancement of sub-band-gap light absorption of sulfur hyperdoped silicon by surface dome structures, Materials Letters, 2013, 107, 50-52.

5)Xiaoguang Yang, Kefan Wang, Yongxian Gu, Haiqiao Ni, Xiaodong Wang, Tao Yang, Zhanguo Wang, Improved efficiency of InAs/GaAs quantum dots solar cells by Si-doping, Solar Energy Materials & Solar Cells, 2013, 113, 144-147.

6)Ke-Fan Wang, Yongxian Gu, Xiaoguang Yang, Yang Tao, Si delta doping inside InAs/GaAs quantum dots with different doping densities, Journal of Vacuum Science & Technology B, 2012, 30, 041808-1-041808-6.

7)Ke-Fan Wang, Cheng-Xiao Peng, Wenhua Zhang, Weifeng Zhang, Sub-10-nm multifacet domelike Ge quantum dots grown on clean Si (001) (2×1) surface, Applied Physics A, 2011, 104, 573-578.

8)Wang Ke-Fan, Zhang Yang, Zhang Weifeng, Morphology and photoluminescence of ultrasmall size of Ge quantum dots directly grown on Si(0 0 1) substrate, Applied Surface Science, 2012, 258, 1935-1939.

9)Xilei Zhao, Ke-Fan Wang*, Weifeng Zhang, Mingju Huang, Yanli Mao, Growth research of Sn nanoparticles deposited on Si(0 0 1) substrate by solid phase epitaxy, Applied Surface Science, 2010, 256, 6427-6432.

10)K.F. Wang, Z.L. Shen, P.S. Xu, H.B. Pan, C.W. Zou, J.F. Liu, Simple designs to avoid high-voltage discharge in a silicon electron beam-heating cellJournal of Vacuum Science and Technology A2007, 25(3): 629-630.

11)K.F. Wang, J.F. Liu, C.X. Peng, P.S. Xu, S.Q. Wei, Deposition of high density of Ge quantum dots on ultra-thin SiO2 /Si(111) film surface, Physica E, 2007, 39(1): 89-94.


授权发明专利:

1,王科范,张光彪,丁丽,刘孔,曲胜春,王占国。碳化硅中间带太阳电池及其制备方法,公开号:CN104409553B

2,王科范,彭成晓,刘孔,谷城,曲胜春,王占国。硫族元素超饱和掺杂硅红外探测器及其制备方法,CN103762255B

3,王科范,张华荣,彭成晓,曲胜春,王占国。一种超饱和掺杂半导体薄膜的制备方法,公开号­: CN103268852B

4,王科范,刘孔,曲胜春,王占国。制备超饱和硫系元素掺杂硅的方法,公开号­: CN102938435B

5,王科范,杨晓光,杨涛,王占国。磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法, 公开号: CN101908581B